徐菊萍与葛雯娜赴日本参加第14届慢正电子束国际会议
第14届慢正电子束国际会议(SLOPOS14)于2016年5月22日至27日在日本松江市举行，本实验室徐菊萍、葛雯娜两位博士生参加会议。慢正电子束会议起源于1982年，目前每三年召开一次，是正电子学届重要的系列会议之一。
此次会议由日本千叶大学藤浪眞紀教授主持，共有106名来自日本、美国、英国、德国、波兰、中国等多个国家从事正电子科学研究的代表参会。大会包含了5个特邀报告，22个邀请报告，以及32个小报告和45个墙报。会议旨在广泛交流与讨论近年来国际上正电子科学技术的最新进展，包括了正电子输运与束流技术、正电子和正电子偶素与原子分子相互作用、块材和层状结构材料的缺陷分布、多孔材料和薄膜材料表面结构以及表面科学等正电子物理基础研究与技术应用。
徐菊萍博士在大会上做了题为 Magnetism in GaN based DMSs studied by slow positron annihilation spectroscopy 的会议口头报告，葛雯娜博士做了题为 ”The role of defects type and density on the photocatalytic of TiO2 nanocrystallites with {116} face“ 的墙报。此外，来自武汉大学的何春清教授、吴亦初教授等多名中国学者也参加了会议。
下届会议将于2019年在罗马尼亚举行。
