实验室成功建成可用于单片微米级薄膜样品测量的正电子湮没寿命谱仪!

正电子湮没谱学是研究缺陷和孔结构的重要实验技术，常用于表征材料的原子级微观结构。常规正电子谱

仪使用²²Na作为正电子源，产生的正电子在大多数固态材料内部有着几百微米的入射深度，因此常规谱仪难以实现微米级厚度的薄膜样品的测量。

      本实验室的博士研究生赵秋贺通过溴化镧晶体、塑料闪烁体、光电倍增管和数字采集卡成功搭建了一台新型数字化正电子湮没寿命谱仪（图一），该谱仪可以实现微米级样品的正电子寿命测量。其中特殊设计的反符合探测器是谱仪实现微米级样品测量的关键。

       
通过模拟（图二）和实验（图三），验证谱仪整体设计的可行性，研究了不同反符合阈值对寿命测量的影响，最终优化了实际测试中的反符合阈值。实际测试中，15微米的Kapton薄膜、16微米的镍箔和60微米的铁箔都测得了正确的结果。